SLM2003E 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和锁存免疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。
为自举操作设计的浮动通道
完全运行时电压高达 200V
容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响
驱动电源范围从 10V 到 18V
欠压闭锁
3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼容
驱动电流 ：290 mA/600 mA
防止交叉导通逻辑
两通道间匹配传输延迟
输出信号与输入信号同相
通过无铅认证
提供 SOP-8 封装
典型的开通/关断延时：125ns/125ns
死区时间：500 ns
400 080 9938
